(서울=연합인포맥스) 김다정 기자 = SK하이닉스가 미국 IBM과 차세대 메모리 제품인 PC램(상변화 메모리) 공동개발 및 기술 라이선스에 관한 계약을 체결했다고 10일 밝혔다.

SK하이닉스 측은 IBM이 PC램 공정의 핵심인 상변화 물질 및 MLC(Multi-Level Cell)구현 기술을, SK하이닉스는 뛰어난 미세공정 기술력과 제품 양산 능력을 결합해 향후 PC램 시장의 주도권을 확보하는 계기가 될 것으로 기대했다.

PC램은 결정 상태에 따른 저항차이를 이용한 메모리반도체로 전원이 공급되지 않는 상태에서도 직전의 저항 상태를 기억할 수 있는 비휘발성 특성이 있다. 낸드플래시의 일반적인 읽기 및 쓰기 속도보다 100배 이상 빠르고 내구성은 1천배 이상 좋으며 D램과 같이 낮은 전압에서 동작이 가능하다. 또 구조가 단순해 생산비용을 줄일 수 있으며 고용량의 제품 개발이 가능하다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2007년 PC램 개발을 시작했으며 40나노미터(㎚)급 1기가비트(Gb) PC램에 대한 기반기술을 개발한 상태다.

IBM은 PC램 공정의 핵심인 상변화 물질 및 MLC(Multi Level Cell) 구현 기술에 관한 연구 성과를 보유하고 있다. 지난해 6월에 IBM은 안정적인 MLC 방식을 통해 PC와 서버의 부팅 속도를 대폭 줄이고 정보기술(IT) 시스템의 전체적인 성능을 높여주는 PC램 기술을 시연한 바 있다.

이번 협력을 통해 개발될 PC램은 엔터프라이즈 서버의 성능 향상 및 전력소비 완화를 위한 SCM(Storage Class Memory) 제품으로 상용화되어 PC램의 새로운 응용분야를 개척하게 될 전망이다. SCM은 서버에서 D램과 솔리드스테이트드라이브(SSD)의 중간역할을 하는 신개념 버퍼 메모리로, 기존 D램과 SSD의 일부 기능을 보완하는 제품이다.

송현종 SK하이닉스 미래전략실장은 "IBM과의 PC램 공동개발은 현재 도시바와 개발 중인 STT-M램(Spin Transfer Torque Magnetic RAM), HP와 개발 중인 Re램(Resistance RAM)과 함께 SK하이닉스가 차세대 메모리 분야에서 경쟁력을 강화하는 데 큰 힘이 될 것"이라고 말했다.

djkim@yna.co.kr

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