삼성전자, 올해 시설투자 30조원 이상 가능성

(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 삼성전자의 올해 시설투자(Capex) 규모가 30조원을 넘길 가능성이 제기됐다. 지난 1분기에 9조8천억원을 설비투자에 집행하고 올해 설비투자 규모가 작년보다 대폭 늘어날 것이라고 밝힌 데 따른 것이다.

지난해 설비투자 규모는 25조5천억이었다. 당초 계획은 27조원이었다.

24일 대신증권은 삼성전자가 올해 시설투자와 인수합병(M&A) 등 자본지출을 확대할 것으로 전망했다. 그러면서 올해 시설투자 총액은 30조원 내외를 기록할 것으로 예상한다고 말했다.

반도체 부문에서 평택 공장 1층에 3D(3차원) 낸드 장비가 완비되고 비메모리 부문인 시스템LSI 시설 투자가 활발하게 전개될 예정이라고 말했다.

디스플레이 부문에서는 신규 OLED(유기발광다이오드) 생산라인 클린룸 확보를 위한 시설투자가 진행된다고 덧붙였다.

신한금융투자는 "삼성전자의 3D낸드와 비메모리 투자가 시장 생각보다 훨씬 더 크고 빠르게 진행될 전망"이라면서 "낸드는 공급부족 심화와 도시바 반도체 매각 이슈 때문이고, 비메모리는 파운드리 시장 성장과 7nm(나노미터) 공정기술 경쟁 때문"이라고 설명했다.

이 증권사는 반도체 시설투자가 전년(13조2천억원) 대비 86% 증가한 24조5천억원에 이를 것으로 예상했다.

삼성전자가 1분기에 디스플레이에만 4조2천억원을 집행해 추가 투자규모를 최소한으로 잡더라도 반도체와 합하면 30조원은 훌쩍 넘길 가능성이 크다.

신한금융투자는 삼성전자가 낸드에 12조5천억원, 비메모리에 8조원을 투자할 것으로 내다봤다. D램은 전년과 유사한 4조원을 점쳤다.

기존 평택공장 18라인(월 10만장) 투자 마무리에 이어 올해 하반기에 3D낸드 신규 공간 확보 투자를 진행할 것으로 예상했다. 18라인 2층공간, 중국 시안 추가공간 확보가 하반기에 이뤄질 것이란 전망이다.

반도체 초격차 전략을 구사한 바 있는 삼성전자가 현재 1위를 달리고 있는 3D 낸드 부분에서도 공격적인 투자를 단행해 후순위업체를 따돌리는 전략을 쓸 것으로 전망했다.

특히 도시바는 3D 낸드로 기술 전환이 일어나는 시기에 R&D 비용과 투자금액 부족으로 기술 개발과 증설 기회를 놓치고 있다고 지적했다.

비메모리 투자 역시 생각보다 크게 진행될 것으로 내다봤다.

삼성전자는 전세계 CIS(CMOS Image Sensor) 실수요 증가에 따라 올해 17라인(S3라인)에 2만장 규모의 신규 증설 투자를 D램 공간인 11라인에 비메모리 전환 투자를 진행할 전망이라고 신한금융투자는 분석했다.

하나금융투자 역시 1분기 평택 1층 4만장 증설 외에도 올해 3분기에 3D낸드 추가 4만장과 연내 2만5천장 규모의 투자가 진행될 가능성이 상존한다고 말했다.

그러면서 전체 낸드 캐파는 1분기 월 53만장에서 4분기에 59만장에 이를 것으로 내다봤다.

D램은 1분기 36만장에서 4분기 38만5천장으로 예상했다.

[e-mail]

(끝)