(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 삼성전자가 '4세대(64단) 256Gb(기가비트) 3bit V낸드플래시'를 본격 양산하고 서버와 PC, 모바일용 등 낸드 제품 전체로 제품군을 확대한다고 15일 밝혔다.

삼성전자는 지난 1월 글로벌 기업 고객에 4세대 256Gb V낸드 기반 SSD(Solid State) 공급을 시작한 바 있다.

이에 더해 모바일용 eUFS(embedded Universal Flash Storage), 소비자용 SSD, 메모리카드까지 제품 4세대 제품군을 확대하고 연내에 월간 생산 비중을 50% 이상으로 늘려 글로벌 고객 수요에 대응할 것이라고 말했다.

4세대 V낸드에는 초고집적 셀 구조·공정, 초고속 동작 회로 설계와 초고신뢰성 CTF 박막 형성 등의 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이 때문에 3세대(48단) 제품 대비 속도와 생산성, 전력 효율이 모두 30% 이상 향상됐다.

V낸드는 데이터를 저장하는 셀을 만들 때 수십 개의 단을 쌓아 올려 위에서부터 하단까지 수십억 개의 미세한 구멍(Hole)을 뚫어 수직으로 셀을 적층하는 '3차원(원통형) CTF 셀 구조'로 되어 있다.

그러나 단수가 높아질수록 형성한 구조가 틀어지거나 최상단과 최하단 셀의 특성 차이가 생기는 등 적층 기술은 물리적 한계가 있었다.

이에 삼성전자는 '9-Hole'이라는 '초고집적 셀 구조·공정' 기술을 개발해 각 층마다 균일한 홀 패턴을 형성하고 전체 단의 하중을 분산해 한계를 극복했다.

90단 이상의 수직 적층 한계를 극복해 반도체 칩 하나에 1조개 이상의 정보를 저장하는 '1테라(Tera) 비트 V낸드' 시대를 여는 원천 기술도 확보했다.

초고속 통작 회로 설계로 초당 1Gb의 데이터를 전송할 수 있다. 3세대 V낸드보다 약 1.5배 빠른 500㎲(마이크로 초, 100만분의 1초)를 달성했다.

원자 단위로 제어할 수 있는 CTF(Charge Trap Flash) 박막을 형성해 셀 크기를 줄이면서도 쓰기·지우기 특성 수명을 높였다. 셀과 셀 사이의 데이터 간섭 현상을 최소화하는 제어 기술(채널 박막화)도 구현해 3세대 대비 신뢰성도 20% 향상했다.

삼성전자는 지난 15년간 '3차원 수직구조 V낸드플래시'를 연구하며 500건 이상의 핵심 특허를 개발해 미국과 일본을 비롯한 세계 각국에 출원을 완료하는 등 메모리 반도체 기술을 선도해 가고 있다.













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