(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 올해 삼성전자가 대규모 반도체 시설투자에 나서면서 3D(3차원) 낸드의 공급 과잉이 나타날 것으로 전망됐다.

이와 함께 중국의 신생 반도체업체가 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 기존업체들과 경쟁하기 어려워질 것으로 분석됐다.

16일 반도체 시장조사업체 IC인사이츠는 삼성전자의 대규모 반도체 투자가 미래에 엄청난 반향을 일으킬 수 있다고 전망했다.

그 가운데 하나는 3D 낸드 플래시 시장의 공급 과잉이다. 삼성전자뿐 아니라 경쟁업체인 SK하이닉스, 마이크론, 도시바, 인텔 등도 삼성전자의 투자에 발맞춰 대규모 투자에 나설 예정이기 때문이다. 앞서 삼성전자는 지난달 31일 올해 46조2천억원을 시설투자에 집행할 예정이라고 밝히면서 반도체에만 29조5천억원을 투자한다고 말했다.

이런 이유로 경쟁업체들이 투자를 늘려 캐파를 확보하지 않으면 시장 점유율을 잃게 된다고 IC인사이츠는 지적했다.

IC인사이츠는 삼성전자 때문에 중국의 신생 반도체업체가 3D 낸드나 D램 시장에서 상당한 경쟁력을 확보하는 업체로 부상하기 어려울 것으로 전망했다.

중국업체의 부상 가능성을 매우 회의적으로 평가했다.

기존 메모리업체와의 합작 투자 등의 형태가 아니라면 중국의 신생 메모리업체가 현재 시장을 주도하는 업체들과 어깨를 나란히 할 가능성은 없어졌다는 의미다.

IC인사이츠의 빌 맥클린 회장은 "지난 37년간 반도체 업계를 담당해왔지만 이처럼 공격적인 반도체 투자지출은 본 적이 없다. 투자규모 자체만으로 반도체 업계 역사에서는 전례가 없는 일"이라고 말했다.

4분기에 삼성전자는 86억달러를 지출할 예정인데 이는 반도체 업계 전체의 시설투자 262억달러의 33%에 해당하는 수치다. 또 4분기 삼성전자의 반도체 매출은 전체의 16%에 이를 것으로 IC인사이츠는 예상했다.

지난해 삼성전자의 반도체 시설투자 규모는 113억달러에서 올해 260억달러로 두 배 이상으로 늘었다.

IC인사이츠는 삼성전자가 260억달러 규모의 시설투자 가운데 140억달러(약 15조5천억원)을 3D 낸드 설비에 70억달러(약 7조7천억원)를 D램에 쓸 것으로 내다봤다.

파운드리와 기타 부문에 50억달러(5조5천억원) 투자할 것으로 전망했다.

3D 낸드는 평택 공장의 대규모 캐파 확대를 위해, D램은 미세 공정 전환에 따른 캐파 손실을 만회하기 위한 것이라고 설명했다. 파운드리는 10나노 공정의 캐파 확대를 위한 것이다.





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