(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 올해 반도체업계의 웨이퍼 캐파 증가율이 예년에 비해 높은 수준을 보일 것으로 전망됐다. 지난해 메모리 반도체 공급 부족이 나타난 가운데 메모리 선두업체인 삼성전자와 SK하이닉스의 웨이퍼 캐파 역시 작년보다 늘어날 것으로 보인다.

12일 반도체시장조사기관 IC인사이츠는 올해와 내년 웨이퍼 캐파 증가율이 8%에 이를 것이라며, 지난 2012년부터 2017년까지의 평균 증가율 4.8%를 웃돌 것으로 예상했다.

IC인사이츠는 "지난해 IC업계의 웨이퍼 캐파, 특히 메모리 부문은 수요를 맞추기에 부족했다. 하지만 향후 수년 동안 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론, 인텔, 도시바/웨스턴디지털, XMC/YRST 등이 3차원(3D) 낸드 플래시 캐파를 크게 늘릴 예정이며, 삼성과 SK하이닉스는 올해와 내년에 D램 캐파를 늘릴 것"이라고 추정했다.

IC인사이츠는 연간 캐파의 변동폭이 완만해지고 있다면서 2010년 이후에는 2~8%의 좁은 수준에서 움직이고 있다고 지적했다. 이 사이 전년대비 가장 크게 증가한 것은 2016년에서 2017년 사이 4%에서 7%로 3%포인트 늘어난 것에 불과하다.

반도체업계가 과거와 비교하면 수요와 공급을 더 잘 맞추고 있다는 석이다.

그러나 IC인사이츠는 "여전히 반도체 업체들에 소비자들로부터 얼마만큼의 수요가 나와 얼마의 캐파를 준비해야 할지 판단하는 것은 매우 어렵다. 특히나 새로 팹을 짓고 양산까지 걸리는 시간을 고려하면 더욱 그렇다"고 지적했다.

실제로 삼성전자는 올해 평택에 2라인 팹을 새로 짓는 것을 추진하고 있지만, 아직 생산할 제품이나 장비 입고, 양산 시기에 대해서는 결정하지 못했다.

이는 내진 설계 등 팹을 짓는 데만 2년여 이상이 걸리기 때문으로 앞으로 2~3년 후에 시황을 예측하기 어렵기 때문이다.

삼성전자의 D램 캐파는 상반기에 월간 4만장, 하반기에 월간 6만장 수준으로 캐파가 추가로 늘어날 것으로 NH투자증권은 전망했다.

화성 16라인이 낸드에서 공정전환이 예상되고 평택 1라인의 2층에 D램 신규 양산이 예상되기 때문이다.

다만 화성 11라인의 2만장 캐파는 CIS(카메라 이미지센서)로 전환되면서 줄어들 전망이다. 이는 지난해 D램 캐파가 3만장 늘어난 것에 비하면 증가폭이 부쩍 커지는 것이다.

삼성전자 낸드 추가 캐파는 8만장 수준으로 NH투자증권은 추정했다.

SK하이닉스는 연초 이천 M14 공장에서 D램 2만장 수준의 캐파 증가가 예상됐다. 올해 말 연말 우시에 짓고 있는 신규 팹에서도 추가 캐파 증가가 가능하지만 2019년에나 생산에 영향을 줄 것으로 보인다.

SK하이닉스와 삼성전자의 D램 공정전환은 난도가 높아지면서 속도가 느려질 것으로 전망됐다.

캐파 증가로 SK하이닉스와 삼성전자의 D램 출하량은 모두 전년대비 22% 늘어날 것으로 NH투자증권은 내다봤다.

낸드 출하량 증가폭은 D램을 크게 웃돌아 삼성전자가 39%, SK하이닉스가 42%로 전망됐다.

smjeong@yna.co.kr

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