(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 중국의 메모리업체들이 올해 하반기 시험생산을 시작으로 내년부터 양산에 돌입할 예정이어서 한국의 메모리 독주체제를 위협할 우려가 제기된다.

20일 반도체 시장조사기관 D램익스체인지에 따르면 중국의 핵심 반도체 사업자로 낸드플래시와 모바일 D램, 스페셜티 D램을 각각 생산하는 UMTC와 이노트론, JHICC가 올해 하반기 시험생산을 시작해 내년 상반기에 양산에 돌입할 예정이다.

내년 중국 메모리업체들이 처음으로 자국에서 메모리 생산에 나서는 셈이다.

D램익스체인지는 "연구개발(R&D)과 D램 공급업체들의 생산 계획을 고려하면 중국의 메모리업계는 공식적으로 2019년에 생산에 돌입한다. 업체들이 생산량을 늘리는 램프업에 시간이 걸리기 때문에 글로벌 D램 시장의 경쟁구도는 JHICC와 이노트론의 진입으로 바로 바뀌지는 않을 것"이라고 분석했다.

중국업체들이 신생업체여서 앞으로 양산과정에서 많은 어려움을 겪을 수 있어 계획보다 양산의 진전이 지연될 가능성이 있다고 지적했다.

다만 2020년이나 2021년께에는 중국 D램업체들이 풀캐파 가동이 가능할 수 있다고 D램익스체인지는 예상했다. JHICC와 이노트론의 월간 웨이퍼 캐파가 25만장에 이를 수 있어 이때가 되면 글로벌 D램 시장에 영향을 미칠 수 있다는 설명이다.

YMTC역시 64단 제품의 개발을 마치면 캐파를 크게 늘릴 가능성이 있고, 이는 향후 3~5년 사이 낸드플래시 시장의 공급에 막대한 충격을 줄 수 있다는 D램익스체인지는 지적했다.

먼저 이노트론의 팹 건설은 지난해 6월 완료됐고 장비입고는 지난 3분기에 이뤄졌다. 지금으로써는 이노트론과 JHICC가 올해 3분기로 시험생산을 미뤘으며 당초 계획했던 스케쥴보다 늦은 내년 상반기에 양산을 잠정적으로 계획하고 있다.

특히 이노트론은 첫번째 생산품목으로 LPDDR4 8Gb로 정함에 따라 최고 D램 공급업체들과 정면대결을 노리는 것이 분명하다고 D램 익스체인지는 지적했다.

다만 이노트론은 특허 침해와 관련한 이슈가 제기될 수 있어 이런 문제를 피하기 위해서는 처음부터 국내 시장에만 제품을 파는 것이 안전한 방법이 될 수 있다.

스페셜티 D램을 제조하는 JHICC는 지난 2016년 7월 53억달러를 투자해 푸젠성 진장 시에 12인치 웨이퍼팹을 건설하겠다는 계획을 밝힌 바 있다. JHICC는 스페셜티 D램의 시험생산을 3분기로 미루고 마찬가지로 내년 상반기 양산을 계획 중이다.

YMTC는 3D 낸드플래시를 생산하는 팹 3곳을 완공할 계획으로 첫번째 팹은 4분기부터 시험생산에 나설 예정이다. 초기에는 32단 MLC 3D 낸드플래시를 생산할 것으로 보인다. 웨이퍼 캐파는 1만장을 초과하지 않을 예정이다.

나머지 두 곳의 팹은 YMTC가 64단 낸드 디자인을 완료하는 데 따라 생산 계획이 정해질 계획이다.

김영우 SK증권 연구원은 중국의 반도체 굴기와 관련해 "글로벌 1위 기업 대비 D램은 8~10년, 낸드는 3~5년, 파운드리는 4~6년 이상의 기술격차가 유지되고 있다"고 지적했다.

또 YMTC의 연내 3D 낸드 양산의 성공 여부가 불투명하고, D램은 중국에서 연말부터 양산할 계획이지만 중국 내에서 판매되는 제품에만 국한될 수 있고, 서버와 모바일 D램의 사양은 매우 낮을 수 있다고 덧붙였다.

smjeong@yna.co.kr

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