삼성전자 "메모리 캐파 운영ㆍ증설 계획 기존대비 변동없어"

(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 삼성전자는 올해 메모리 반도체 관련 전반적인 캐파 운영 전략이나 증설 계획이 기존대비 변동사항이 없다고 밝혔다

삼성전자는 26일 1분기 실적 발표 후 콘퍼런스콜을 통해 이같이 전하고 "화성 캠퍼스는 D램, 평택은 V낸드 중심으로 운영할 계획이며 평택 상층부 일부는 10나노급 제품을 생산하고, 11라인의 일부 캐파를 CIS(CMOS 이미지센서)로 전환할 계획"이라고 설명했다.

13라인에서의 이미지센서로의 추가적인 전환은 결정된 바가 없다고 덧붙였다.

D램 1y 나노 공정은 안정적인 램프업이 이뤄지고 있어 2019년 이내에 빗(bit) 크로스 오버가 예상된다고 삼성전자는 전했다.

올해 2분기에 PC를 시작으로 당초 계획에 따라 서버와 모바일 제품으로 확대할 계획이라고 덧붙였다.

낸드는 5세대 V낸드는 올해 연내 양산을 목표로 램프업을 진행 중이고 올해는 4세대 V낸드 확대에 주력하고 있다고 삼성전자는 밝혔다.

D램과 낸드 수급에 대해서 삼성전자 관계자는 "하반기 이후 D램 공급이 증가하겠지만, 서버를 중심으로 수요가 늘고 기술적 어려움으로 빗그로스 증가가 제한될 것"이라고 말했다.

그러면서 "D램 공급 부족 현상이 일부 완화되겠지만 타이트한 수급 상황이 지속될 가능성이 크다"고 전망했다.

낸드의 경우 가격이 안정화됨에 따라 서버와 모바일 수요가 견조한 증가세를 보이면서 지금의 타이트한 수급이 완화될 것으로 삼성전자는 내다봤다.

지난 1분기에 삼성전자의 D램 빗그로스(bit growth. 비트단위 생산량 증가율)는 한 자릿수 초반 감소세를 보였고, 평균판매가격(ASP)은 한 자릿수 중반 상승했다.

2분기에 D램시장의 빗그로스는 한 자릿수 후반 상승이 예상되고, 삼성전자는 역시 시장 수준의 성장을 예상했다.

올해 연간으로 D램의 시장 빗그로스는 20%, 삼성전자도 시장 수준을 전망했다.

낸드는 지난 1분기에 삼성전자 빗그로스가 한 자릿수 중반 감소했으며, ASP 역시 한 자릿수 초반 감소했다.

삼성전자는 2분기에 낸드 시장의 빗그로스는 약 10% 초반 성장이 예상되고, 삼성전자도 시장과 비슷한 수준의 성장을 예상했다. 연간으로 시장의 낸드 빗그로스는 약 40% 성장하고, 삼성전자도 시장 수준을 보일 것이라고 추정했다.

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