(서울=연합인포맥스) 정선미 기자 = 올해 전 세계 반도체 시설투자규모가 사상 처음으로 100조원(약 1천억달러)을 돌파할 것이란 전망이 나와 주목된다.

25일 반도체 시장조사기관 IC인사이츠는 올해 반도체 시설투자가 지난해(900억달러)보다 14% 증가한 1천26억달러(약 111조원)에 이를 것으로 전망했다.

지난 3월에 전년대비 8% 늘어날 것으로 예상했던 것을 상향 조정한 셈이다.

IC인사이츠의 예상대로라면 올해 처음으로 반도체 시설투자가 1천억달러를 돌파하게 된다. 특히 2년 전인 2016년(673억달러)보다는 53% 증가하는 셈이다.

작년 반도체 시설투자에 약 27조3천억원을 지출한 삼성전자는 올해 시설투자 계획이 아직 정해지지 않았다고 밝혔다. 다만 작년보다 줄어들 것이라고만 전했다.

그러나 IC인사이츠는 지난 1분기 삼성전자의 반도체 시설투자 규모가 7조2천억원으로 직전 3개 분기 평균보다 소폭 높다면서 시설투자와 관련해서는 삼성전자가 "여전히 가속페달에 발을 올려놓고 있다"고 분석했다.

올해 1분기 시설투자는 2년 전인 2016년 1분기보다 4배나 많은 수준이다.

지난 4개 분기 동안 삼성전자의 시설투자 규모는 266억달러(약 29조원)로 막대한 규모다.

IC인사이츠는 올해 삼성전자의 반도체 시설투자가 200억달러(약 22조원)로 지난해보다 약 5조원(42억달러) 줄어들 것으로 예상했다. 다만 연초부터 대규모 투자에 나선 것을 감안하면 삼성전자의 올해 시설투자 규모는 예상보다 커질 가능성이 더 크다고 평가했다.

SK하이닉스는 D램과 낸드플래시 등 메모리 시장이 지속적으로 견조한 모습을 보임에 따라 시설투자가 대거 늘어날 것으로 전망됐다.

올해 SK하이닉스의 시설투자는 115억달러(약 12조4천억원)로 IC인사이츠는 예상했다.

SK하이닉스는 지난해 잇달아 시설투자를 예상보다 늘림에 따라 연간으로 모두 10조3천억원을 시설투자에 썼다. 여기에다 올해에는 최소한 30% 이상 증가할 것으로 전망함에 따라 13조 이상으로 늘어날 가능성이 크다.

SK하이닉스는 "전체적인 캐팩스를 확정하지 못했지만, 공정 난도 때문에 연구개발(R&D)이 늘어난 최소한 30% 증가할 것이며 클린룸이 연말보다 빠른 시기에 오픈된다면 내년에 투자될 장비투자가 올해 연말로 앞당겨 투자될 가능성이 있다"고 설명한 바 있다.

지난 1분기 투자액만 4조원을 초과했다. 신규 기술인 D램 1x 나노와 낸드의 72단 램프업에 따른 장비투자가 진행된 때문이다.

IC인사이츠는 SK하이닉스가 낸드를 생산할 예정인 청주의 M15 신규 팹과 우시의 D램 팹 확장에 주력할 것으로 전망했다.

청주 팹은 연내에 클린룸을 열 계획이며, 우시 팹도 당초 계획보다 수개월 앞당겨 연내 오픈을 계획하고 있다.





<전세계 반도체 투자지출 추이(2000년~2018년).(※자료=IC인사이츠)>

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