SK하이닉스, 2세대 10나노급 DDR4 D램 개발

(서울=연합인포맥스) 김경림 기자 = SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8기가비트(GB) DDR4 D램을 개발했다고 12일 발표했다.

2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성이 약 20% 향상됐고, 전력소비도 15% 이상 감축했다. 데이터 전송 속도는 최고 3천200Mbps까지 구현하다.

SK하이닉스는 데이터 전송 속도를 높이기 위해 전송 시 주고받는 신호를 기존 제품보다 2배로 늘렸다. '4Phase clocking'이라는 이 기술은 송수신 데이터를 동기화하는 신호를 4등분 해서 늘리는 방법이다.

또 전력소비를 줄이고 데이터 오류 발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 센스앰프(Sense Amp) 제어 기술도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭하는 역할을 한다.

김석 D램 마케팅 담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품이다"며 "내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극적으로 대응할 것"이라고 말했다.

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