(서울=연합인포맥스) 이미란 기자 = 삼성전자가 오는 2030년까지 시스템반도체 분야 연구개발(R&D)과 생산시설 확충에 133조 원을 투자하고, 전문인력 1만5천 명을 채용한다.

또 시스템반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(반도체 설계 전문업체)와 디자인 하우스(설계 서비스 기업) 등 국내 시스템반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.

삼성전자는 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하기 위한 '반도체 비전 2030'을 24일 발표했다.

삼성전자는 먼저 시스템반도체 사업경쟁력 강화를 위해 오는 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조 원, 최첨단 생산 인프라에 60조 원을 투자하기로 했다.

또 화성캠퍼스 신규 EUV 라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다.

기술경쟁력 강화를 위해서는 시스템반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만5천 명을 채용한다.

삼성전자는 아울러 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생 협력을 통해 한국 시스템반도체 산업생태계를 강화할 예정이다.

국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발 기간도 단축할 수 있도록 인터페이스 IP(설계자산)와 아날로그 IP, 시큐리티 IP 등 자사가 개발한 IP를 호혜적으로 지원한다.

보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 자사가 개발한 설계·불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.

소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템반도체 분야의 국내 중소 팹리스는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는 데 어려움이 있었다.

삼성전자는 이같은 어려움을 해소하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다.

또 국내 중소 팹리스의 개발 활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer) 프로그램을 공정당 연 2~3회로 확대 운영하고, 국내 디자인 하우스 업체와의 외주협력도 확대하기로 했다.

삼성전자는 R&D 투자를 통해 국내 시스템반도체 연구개발 인력 양성에 기여하고, 생산시설 투자로 국내 설비·소재 업체를 포함한 시스템반도체 생태계 발전에도 긍정적 영향을 줄 것으로 기대했다.

오는 2030년까지 연평균 11조 원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만 명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상했다.

mrlee@yna.co.kr

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