삼성, 비메모리 퀀텀 점프 키워드는 'GAA·ISOCELL'
삼성, 비메모리 퀀텀 점프 키워드는 'GAA·ISOCELL'
  • 이미란 기자
  • 승인 2019.05.23 08:52
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(서울=연합인포맥스) 이미란 기자 = 비메모리 반도체에 대한 대규모 투자를 선언한 삼성전자가 주요 비메모리 반도체 제품인 파운드리와 CIS(시모스이미지센서) 부문에서 구체적인 성과를 내고 있다.

차세대 3nm(나노미터) GAA(Gate-All-Around)의 공정 설계 키트를 배포하면서 앞선 파운드리 기술력을 보여준 데 이어, 독자적 ISOCELL(아이소셀) 기술을 바탕으로 CIS 점유율을 확대할 계획이다.

23일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 14일(현지시간) 미국 캘리포니아 샌타클래라에서 '삼성 파운드리 포럼'을 열고 팹리스(반도체 설계 전문) 고객사들에 차세대 3nm GAA의 공정 설계 키트를 배포했다.

GAA는 현재의 3차원 입체구조로 반도체를 설계하는 공정인 핀펫 이후 미래 시스템반도체의 구조적 혁신을 가능하게 할 새로운 반도체 기술로 꼽힌다.

전류가 흐르는 통로 전체를 전류를 제어하는 게이트가 둘러싸고 있어 앞면과 양옆의 3개 면만 감싸는 지느러미 모양의 핀펫 구조에 비해 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어하는 장점이 있다.

업계에서는 모바일과 AI(인공지능), 5G(5세대) 이동통신, 전장, IoT(사물인터넷) 등 고성능과 저전력을 요구하는 차세대 반도체 제조에 GAA가 적극적으로 활용될 것으로 보고 있다.

삼성전자는 이런 핀펫에서 GAA로의 세대교체를 이용해 파운드리 시장에서 주도권을 잡겠다는 계획이다.

현재 파운드리 제품 분야에서는 TSMC가 압도적으로 1위를 차지하고 있다.

삼성전자는 지난해 상반기까지 4위를 유지하다가, 하반기부터 7nm 미세공정 양산에 성공하며 2위로 올라왔다.

업계에서는 초고가 장비가 필요한 EUV(극자외선) 공정을 7nm 양산에 도입한 삼성전자가 파운드리 분야에서 TSMC를 따라잡기 시작할 것으로 보고 있다.

도현우 NH투자증권 연구원은 "삼성전자는 7나노 공정부터 EUV 양산에 도입해 TSMC보다 빠르다"며 "다양한 환경에서 빠르게 EUV 양산에 대한 경험을 쌓은 점이 5nm부터 효과를 발휘해 TSMC와 공정 경쟁력 차를 근접한 수준까지 좁힐 것"이라고 말했다.

CIS 제품 분야에서도 삼성전자는 독자적인 ISOCELL 기술을 바탕으로 CIS 점유율을 높일 것이라는 전망이 나온다.

CIS는 스마트폰과 차량용 카메라 등 다양한 기기에 사용되는 핵심 부품이다.

삼성전자는 2013년 미세해지는 센서 픽셀 간 간섭현상을 최소화해 작은 픽셀로 고품질의 이미지를 구현하는 기술인 ISOCELL 기술을 세계 최초로 개발했다.

이재윤 유안타증권 연구원은 "삼성전자가 ISOCELL 기술을 바탕으로 CIS 점유율 1위 업체인 소니와 점유율 격차를 대폭 줄일 것"이라고 내다봤다.

지난해 비메모리 제품별 매출 비중은 파운드리가 41%로 가장 높고 AP(애플리케이션 프로세서) 23%, CIS 19%, DDI(디스플레이 구동칩 15% 순이었다.

박유악 키움증권 연구원은 "삼성전자의 비메모리 반도체 분야가 파운드리와 CIS 제품을 위주로 퀀텀 점프 수준의 성장을 할 것"이라며 "2010년 4천617억 원이었던 파운드리 부문 매출액은 2021년 8조7천억 원으로, 2010년 4천523억 원이었던 CIS 부문 매출액은 2021년 4조1천 억원으로 늘 것"이라고 예상했다.

mrlee@yna.co.kr

(끝)

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