(서울=연합인포맥스) 이미란 기자 = 삼성전자가 업계 최초로 D램에 극자외선(EUV) 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다.

삼성전자는 25일 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급하고 글로벌 고객의 평가를 완료했다고 밝혔다.

이로써 삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖췄다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 되어 성능과 수율을 높이고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 높일 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있다.

삼성전자는 내년에는 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.

또 DDR5, LPDDR5 D램 시장의 본격 확대에 맞춰 글로벌 IT 고객과 기술협력을 강화하고 업체 간 다양한 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속해서 높여 나갈 예정이다.

올해 하반기에는 평택 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축한다.

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