업계 최초 EUV 공정 적용한 3세대 10나노급(1z) 16Gb LPDDR5 출하

30조원 이상 대규모 투자 집행 예정…3만명 이상 고용창출 기대





(서울=연합인포맥스) 이미란 기자 = 삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인을 가동하고 메모리 양산 제품에 처음으로 극자외선(EUV) 공정을 적용했다.

삼성전자는 30일 평택 2라인을 가동하고, 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 생산했다고 밝혔다.

삼성전자의 평택 2라인은 연면적이 12만8천900㎡로 축구장 16개 크기에 달하는 세계 최대규모의 반도체 생산라인이다.

이번 D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품까지 생산하는 첨단 복합 생산라인으로 만들어졌다.

삼성전자는 평택 2라인에 지난 5월 EUV 기반 최첨단 제품 수요에 대비하기 위한 파운드리 생산라인을 착공했으며, 6월에는 첨단 V낸드 수요 확대에 대응하기 위한 낸드플래시 생산라인을 착공했다.

두 라인 모두 오는 2021년 하반기부터 본격적으로 가동할 예정이다.

이번 평택 2라인은 지난 2018년 8월 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 하나로 건설된 것이다.

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다.

삼성전자는 직접 고용하는 인력을 약 4천명, 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상 고용할 것으로 예상한다.

지난 2015년부터 조성된 평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다.

평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공돼 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐으며, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 1z LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 지난 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5천500Mb/s)보다 16% 빠른 6천400Mb/s의 동작 속도를 구현했다.

16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.

또 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품 대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다.

이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품 수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자 관계자는 "글로벌 스마트폰 업체들에 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공해 내년 출시되는 인공지능(AI) 기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 것"이라며 "또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정"이라고 말했다.

mrlee@yna.co.kr

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