삼성, 최첨단 EUV 후공정서 기술 경쟁력 확보
삼성, 최첨단 EUV 후공정서 기술 경쟁력 확보
  • 이미란 기자
  • 승인 2020.08.13 11:03
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(서울=연합인포맥스) 이미란 기자 = 삼성전자가 업계최초로 7나노 극자외선(EUV) 시스템반도체에 3차원 적층기술을 적용하면서 반도체 2030 비전에 성큼 다가섰다.

삼성전자는 13일 7나노 EUV 시스템반도체에 3차원 적층 패키지 기술인 'X-큐브'를 적용한 테스트칩 생산에 성공했다고 밝혔다.

이로써 삼성전자는 최첨단 EUV 초미세 전공정 뿐 아니라 후공정에서도 첨단 기술 경쟁력을 확보하게 됐다.

'X-큐브'는 전공정을 마친 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층해 하나의 반도체로 만드는 기술이다.

시스템반도체는 일반적으로 중앙처리장치(CPU)·그래픽처리장치(GPU)·신경망처리장치(NPU) 등의 역할을 하는 로직 부분과 캐시메모리(자주 하는 작업이나 동작을 저장해두는 임시기억공간) 역할을 하는 SRAM 부분을 하나의 칩에 평면으로 나란히 배치해 설계한다.

'X-큐브' 기술은 로직과 SRAM을 단독으로 설계·생산해 위로 적층하기 때문에 전체 칩 면적을 줄이면서 고용량 메모리 솔루션을 장착할 수 있어 고객의 설계 자유도를 높일 수 있다.

또 실리콘관통전극(TSV) 기술을 통해 시스템반도체의 데이터 처리속도를 획기적으로 향상할 수 있고, 전력 효율도 높일 수 있다.

위아래 칩의 데이터 통신 채널을 고객 설계에 따라 자유자재로 확장할 수 있고, 신호 전송 경로 또한 최소화할 수 있어 데이터 처리 속도 극대화할 수 있다는 장점도 있다.

삼성전자는 이 기술이 슈퍼컴퓨터·인공지능·5G 등 고성능 시스템반도체를 요구하는 분야는 물론 스마트폰과 웨어러블 기기의 경쟁력을 높일 수 있는 핵심 기술로 활용될 것으로 예상했다.

글로벌 팹리스 고객은 삼성전자가 제공하는 'X-큐브' 설계방법론과 설계툴을 활용해 EUV 기술 기반 5, 7나노 공정 칩 개발을 바로 시작할 수 있다.

삼성전자의 양산 인프라를 이용할 수 있기 때문에 개발 오류를 빠르게 확인하며 칩 개발 기간을 줄일 수 있다.

삼성전자는 오는 16일부터 18일까지 온라인으로 진행되는 고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등의 고성능 반도체 관련 연례 학술 행사인 '핫 칩스 2020'에서 'X-큐브'의 기술 성과를 공개할 계획이다.

강문수 삼성전자 파운드리사업부 마켓전략팀 전무는 "EUV 장비가 적용된 첨단 공정에서도 TSV 기술을 안정적으로 구현해냈다"며 "반도체 성능 한계 극복을 위한 기술을 지속 혁신해 나가겠다"고 밝혔다.

mrlee@yna.co.kr

(끝)

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