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(서울=연합인포맥스) 김경림 기자 = 차세대 고대역폭 메모리 HBM(HBM3E) 시장을 두고 SK하이닉스와 삼성전자의 신경전이 치열하다.
최근에는 미국 반도체 기업 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2024에서 나란히 전시관을 마련하는 등, 자사 제품 경쟁력이 우월하다고 내세우고 있다.
SK하이닉스는 19일 세계 최초로 5세대 HBM인 HBM3E D램을 고객사에 납품한다고 밝혔다. 엔비디아가 GTC에서 차세대 인공지능(AI) 칩을 공개한 날, SK하이닉스가 여기에 들어갈 첨단 메모리를 공급한다고 밝힌 것이다. HBM3에 이어 HBM3E에서도 주도권을 굳히겠다는 의도로 풀이할 수 있다.
SK하이닉스는 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객사에 공급하게 됐다"며 "HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다"고 밝혔다.
앞서 마이크론은 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200에 탑재될 HBM3E를 양산한다고 밝힌 바 있으나, 실제 납품으로 이어진 것은 SK하이닉스가 처음으로 알려졌다.
SK하이닉스와 삼성전자는 각각 몰디드언더필(MUF)와 NCF(비전도성접착필름)라는 서로 다른 방식의 패키징을 채택하고 있다.
특히 SK하이닉스는 이번 발표에서 NCF와 달리 MR-MUF의 공정이 효율적이라는 점을 강조했다.
SK하이닉스가 사용하는 MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤, 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 칩을 하나씩 쌓을 때마다 필름형 소재를 깔아주는 'NCF' 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이라는 게 SK하이닉스 측의 설명이다.
이런 장점 때문에 최근 일각에서는 삼성전자가 MUF 공정을 HBM 제조에 적용할 것이라는 전망도 제기됐다.
삼성전자는 지금까지 TC(열압착)-NCF라는 방식으로 HBM을 제조해왔다. D램을 한 장씩 쌓은 뒤, 사이에 NCF라는 비전도성접착필름을 통해 붙이는 방식이다. 'TC본더'라는 장비로 열압착 방식을 적용하기 때문에 SK하이닉스 제품보다는 덜 휜다는 장점이 있지만 동시에 수율이 떨어진다는 우려도 있다.
SK하이닉스의 이러한 선제공격에, 삼성전자는 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 HBM3E 실물을 GTC에서 전시했다.
그동안 HBM 시장 선점 경쟁에서 SK하이닉스에 밀렸다는 평가를 받아 온 삼성전자는 지난 2월 업계 처음 HBM3E 12H(12단) 개발에 성공했다고 밝힌 바 있다.
여기에 SK하이닉스는 HBM3E 12H 실물을 공개하며 맞수를 놨다.
한편 시장조사업체 트렌드포스는 전체 D램 매출에서 HBM의 비중이 지난해 8.4%, 올해는 20.1%까지 상승할 것으로 예상했다.
연간 비트그로스(비트 단위 생산량 증가율)는 260%로 전망됐다. 웨이퍼 기준으로 삼성전자는 월 13만장, SK하이닉스와 마이크론은 각각 12만~12만5천장과 2만장 수준이다.
klkim@yna.co.kr(끝)